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【2h】

Evaluation of Non-Quasi-Static Effects during SEU in Deep-Submicron MOS Devices and Circuits

机译：深亚微米mOs器件和电路中sEU期间非准静态效应的评估

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作者
Palkesh Jain; D. V. Kumar; J. M. Vasi; M. B. Patil;
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年度 2009
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